Samsung MZ-VAP1T0BW * Kapacitás: 1 TB * Interfész: PCIe Gen 5.0 x4, NVMe 2.0 *
Forma: M.2 (2280) * Méretek: 80,15 x 22,15 x 2,38 mm * Tömeg: kb. 9 g * NAND
flash memória: Samsung V-NAND TLC (V8) * Kontroller: Samsung saját fejlesztésű *
DRAM cache memória: 1 GB LPDDR4X * Szekvenciális olvasási sebesség: legfeljebb
14 700 MB/s * Szekvenciális írási sebesség: legfeljebb 13 300 MB/s *
Véletlenszerű olvasás (4KB, QD32): legfeljebb 1 850 000 IOPS * Véletlenszerű
írás (4KB, QD32): legfeljebb 2 600 000 IOPS * Átlagos energiafogyasztás
(olvasás/írás): 7,6 W / 7,2 W * Energiafogyasztás (készenléti állapot): max. 4
mW * L1.2 mód fogyasztás: max. 3,3 mW * Üzemi hőmérséklet: 0°C - 70°C * Nem
üzemi hőmérséklet: -40°C - 85°C * Ütésállóság: 1 500 G, 0,5 ms (fél szinusz
hullám) * MTBF (átlagos meghibásodásmentes idő): 1,5 millió óra * TBW (írási
terhelhetőség): 600 TB * Titkosítás: AES 256-bit, TCG/Opal v2.0, MS eDrive
(IEEE1667) * Támogatott funkciók: TRIM, S.M.A.R.T, Garbage Collection, Dynamic
Thermal Guard * Szoftver: Samsung Magician * RoHS megfelelőség: Igen *
Kompatibilitás: PCIe 5.0 rendszerekkel